西安半导体器件检测实验室

IGBT高温反偏试验台（HTRB测试仪）
设备简述
IGBT高压反偏试验是在一定温度条件（125℃）下，按照规定的时间和电压，对IGBT施加反偏电压，从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验  方法。是专为IGBT模块进行高温反偏试验而进行设计,是IGBT出厂检测的重要设备。该试验台可对相应的IGBT器件进行适配器匹配，同时对48只器件进行试验。测试标准符合MIL-STD-750，IEC 60747。本设备采用计算机自动控制系统，后台软件实时监控、自动处理目标数据，具有测试精度高、操作方便、高效等优点。
电气系统额定参数
A．输入电压：380V AC；
B. 输出电压：0-5000V DC；
C. 输出电流：2.5A(Max)；
D. 工作相抵湿度：空气湿度 < 50%（高压设备严格要求）；
E. 环境温度：0-50℃。
测试技术参数
1）每个工位电流：输出范围0-40mA，过流保护值40Ma,
2）输出电压：200-4700V，分辨率10V,精度±2%±10V，（空-满载调整率<2%）,100-200V, 分辨率10V,精度±5%±10V，（空-满载调整率<2%）。试验电压可设定保护值，保护动作时切断主电路，并带有声光报警。
3）工位输出电流：每个工位分为高低档，低档：0.1-15ma，分辨率0.1ma，精度±2%±0.1ma；高档：15-40ma，分辨率0.1ma，精度±5%±0.5ma；漏电流采集模块内三只单管的并联值。漏电流可设定保护值，保护动作时切断相应工位主电路，并带有声光报警。
4）工位对IGBT封装的兼容性：本设备适用器件尺寸190×140mm，夹具适配器调整后可兼容130×140mm尺寸。
每个工位有卡槽固定IGBT基板位置，气缸控制适配器，气动下压；模块基板采用气动压接方式固定在加热体表面；本试验台另配气泵等附件。
规格
尺    寸：1800×650×500（mm）
质    量：175kg 
测试工位：20工位 
工位转换：自动切换 
耐温范围：-50ºC～140ºC

技术指标
静态参数测试	高压反偏测试
测试参数IR	0.01mA～2mA
0.01mA~1m±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 
测试条件：
反向电压：直流50～5000V ±3%±10V.
	试验电压： 50～5000V ±3%±10V 
器件漏电流测试范围： 0.01mA～2mA 
0.01mA～1mA±3%±0.01mA 
1mA～2mA±3%±0.1mA 测试时间：
计算机设定 
测试方法： 
器件在特定温度下存储一定时间后，在设定电压下对每只器件同 时持续加反压进行测试，每隔1-2秒刷新一遍输出的测试结果， 监控各器件反压下漏电流参数，并保存测试数据。
测试参数BVR	50V～5000V±3%±10V。 
测试条件：
反向电流：0.01mA～2mA；直流方波。
0.01mA~1±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。	
测试方法	器件在特定温度下存储一定时间后，先测试IR ，每只 器件依次进行测试，测试间隔时间为约1S。然后同时 测试BVR，依次采集电流。间隔时间为约100mS。
	
功能指标
试验高低温度范围	-50 ºC～140ºC 
高低温箱温控精度	±1
温度范围	-50℃～RT 
温度波动	 ≤±2℃(空载时)
温度均匀	 ≤±3℃(空载时)
升温速率	不小于1～3℃/min（空载时）
供电电源	 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地